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摘要:
发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的,描述该效应的微分方程早已建立,这里设计了一种用SPICE验证精确解/近似解的新方法.结果表明:近似解是在V(x)(《)VT的前提条件下求得的,仅在弱注入区和中等注入区适用,不能给出在强注入区和极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数;相反,基于精确解的理论却能给出从弱注入区到极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数,且与用SPICE模拟得到的结果吻合.结论是:从整体来看,精确解的理论比近似解的理论描述该效应要稍好一些,因为前者的适用范围比后者宽.应当强调指出,该效应正是发生在强注入区和极强注入区.
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文献信息
篇名 发射极电流集边效应理论的SPICE模拟验证
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 发射极电流 集边效应 精确解 SPICE验证
年,卷(期) 2000,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1139-1144
页数 6页 分类号 TN304.07
字数 3377字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.11.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜行尧 中国华晶电子集团公司双极设计所 5 11 2.0 3.0
2 石林初 中国华晶电子集团公司双极设计所 8 24 3.0 4.0
3 吕文生 中国华晶电子集团公司双极设计所 3 11 2.0 3.0
4 吴敏 中国华晶电子集团公司双极设计所 3 11 2.0 3.0
5 吴毅 中国华晶电子集团公司双极设计所 3 11 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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发射极电流
集边效应
精确解
SPICE验证
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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半导体学报(英文版)
月刊
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大16开
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