带有发射极边减薄结构的异质结双极 晶体管直流电流增益的计算

• 作者: 刘晓伟 吴德馨 张荣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电流增益 异质结双极晶体管(HBT) Gummel-Poon模型
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 241-246
• 页数: 6页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 3872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.026

摘要

为了计算带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管（EET-HBT：Emitter Edge Thinning-HeterojunctionBipolar Transistor）的电流增益，提出了发射极边偏移电压的概念．在将它引入Gummel-Poon模型后，对不同结构的EET-HBT的直流电流增益进行了计算，并将计算结果与已发表的实验数据作了比较．计算表明，修正后的Gummel-Poon模型能够较好的反映出采用EET结构后对增益的改善作用，钝化边长度越长、器件发射结的面积越小（周长/面积比越大），钝化的效果越好．计算结果显示采取薄发射区设计也能起到与EET结构同样的钝化效果．计算结果可以为高性能HBT器件的设计提供依据．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张荣	中国科学院微电子中心	119	1565	22.0	32.0
2	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
3	刘晓伟	中国科学院微电子中心	10	76	5.0	8.0