Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应

• 作者: 张雷 戴宁 胡古今 陈良尧
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: 光电导 超晶格 ZnSe
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 51-55
• 页数: 5页
• 字数: 3141字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.01.010

摘要

通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系，研究了Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应。被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应，其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为120K，另一块样品的淬灭温度接近290K。描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果，讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈良尧	复旦大学物理系半导体物理实验室	53	230	8.0	13.0
2	张雷	复旦大学物理系半导体物理实验室	36	172	8.0	11.0
3	戴宁	复旦大学物理系半导体物理实验室	3	12	2.0	3.0
4	胡古今	复旦大学物理系半导体物理实验室	1	0	0.0	0.0