光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟

• 作者: 吴霞宛 张世林 李树荣 毛陆红 沙亚男 郑云光 郭维廉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PNEGIT 电路模型 模拟
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 882-886
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 2516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.09.011

摘要

给出了光表面控制负阻晶体管PNEGIT(Photo-Controlled Surface Negative Impedance Transistor)的电路模型,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件,模型为研究PNEGIT和表面控制负阻晶体管NEGIT(Surface-Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段,把模拟结果与实验进行了对比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴霞宛	天津大学电子信息工程学院微电子系	52	469	11.0	19.0
2	张世林	天津大学电子信息工程学院微电子系	109	334	8.0	11.0
3	郭维廉	天津大学电子信息工程学院微电子系	145	419	10.0	12.0
4	李树荣	天津大学电子信息工程学院微电子系	38	187	9.0	11.0
5	郑云光	天津大学电子信息工程学院微电子系	28	73	6.0	6.0
6	毛陆红	天津大学电子信息工程学院微电子系	1	1	1.0	1.0
7	沙亚男	天津大学电子信息工程学院微电子系	6	13	2.0	3.0