LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究

• 作者: 刘红侠 朱秉升 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 掺氧半绝缘多晶硅 低压化学气相淀积 含氧量
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文和技术报告
• 页码范围: 309-311
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1893字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2000.03.012

摘要

SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数.文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件.为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子所	91	434	10.0	15.0
3	朱秉升	西安交通大学电子工程系	1	0	0.0	0.0