在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速晶化研究

• 作者: 周甫方 林揆训 梁厚蕴 梁淑霞
• 来源期刊: 汕头大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 快速热退火 铝诱导晶化
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: O794|O766
• 字数: 1574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4217.2001.01.007

摘要

在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积1～4μm厚的α-Si薄膜(基底沉积温度为300C,沉积速率为1.0μm/h),然后样品在共熔温度下、N2气保护中热退火,可使其快速晶化成多晶硅薄膜.结果表明:在铝薄膜的诱导下α-Si薄膜在温度550℃附近退火5min即可达到晶化,X-射线衍射分析显示样品退火30min形成的硅层基本全部晶化,且具有良好的晶化质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林揆训	汕头大学科学院材料所	29	339	9.0	18.0
2	梁厚蕴	汕头大学科学院材料所	4	31	2.0	4.0
3	周甫方	汕头大学理学院	17	98	5.0	9.0
4	梁淑霞	汕头大学理学院	1	5	1.0	1.0