低压ZnO压敏陶瓷晶界特性的研究

• 作者: 周东祥 姜胜林 章天金
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 晶粒边界 电学特性 介电常数 介质损耗
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 23-24,29
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 2680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2001.01.011

摘要

借助HP4192A低频阻抗分析仪，分析了低压ZnO压敏陶瓷的C-V特性及介电和损耗特性、添加物对ZnO压敏瓷晶界电学特性的影响。探讨了热处理气氛对ZnO晶粒边界电性能的作用机理。实验结果表明：Na+掺杂量增加时，施主浓度基本保持不变，而势垒高度、界面态密度和耗尽层宽度增加；在空气中退火，样品的施主浓度减少，势垒高度降低；在Ar气中退火样品的施主浓度基本保持不变，而势垒高度下降较大；在音频范围内，ZnO压敏瓷具有很高的介电常数（εr约1 300）；在105～106 Hz范围内，εr下降较明显，与此对应，介质损耗角正切tgδ在105～106 Hz范围内出现一个峰值，该峰具有扩展的德拜驰豫峰特征。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章天金	湖北大学物理学与电子技术学院	82	321	11.0	14.0
2	周东祥	华中理工大学电子科学与技术系	33	486	13.0	21.0
3	姜胜林	华中理工大学电子科学与技术系	4	25	2.0	4.0