a-Si:H薄膜光衰效应的研究

• 作者: 吴召平 张慧芳
• 来源期刊: 山东工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光学效应 硅 溴
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 428-432
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1893字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3961.2001.05.016

摘要

利用红外光谱(IR)和氢释放谱相结合的方法,研究了a-Si:H的结构与其光衰效应的关系,结果发现:随着Br含量的增加,IR谱中的2100cm-1峰以及H释放谱中的低峰逐渐减弱,以至完全消失.说明a-Si:H网络中的织构组织由于Br的掺入而逐渐消失,a-Si:H由均匀的Si-H组成.材料的光暗电导率比显著增加,达5×104,材料在500℃以上基本无H释放,结构稳定性增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴召平	中国科学院上海硅酸盐研究所	10	235	7.0	10.0
2	张慧芳		2	7	1.0	2.0