半导体器件HPM损伤脉宽效应机理分析

• 作者: 刘国治 李平 王亮平 黄文华
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 HPM 脉冲宽度 损伤效应
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 353-356
• 页数: 4页
• 分类号: TN015
• 字数: 3381字
• 语种: 中文

摘要

HPM能量在半导体器件损伤缺陷区的热量沉积以及向周围材料的热量扩散，是造成半导体器件损伤脉宽效应的机理；分别得到了全脉宽段、长脉宽段和短脉宽段的损伤经验公式，该损伤经验公式能较好地对实验和理论模拟效应数据进行拟合。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国治		63	824	15.0	26.0
2	黄文华		46	381	12.0	18.0
3	李平		14	130	5.0	11.0
4	王亮平		42	249	9.0	13.0