多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术

• 作者: JOHNNY K O Sin 刘世建 徐重阳 曾祥斌 饶瑞
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 薄膜晶体管 表面钝化 氮等离子钝化
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 142-144，155
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2001.02.016

摘要

采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明，该技术能够有效降低多晶硅薄膜的界面态密度，提高多晶硅薄膜晶体管性能。二次离子质谱仪分析表明在p-Si/SiO2界面有氮原子富积，说明生成了强的Si-N键。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	饶瑞	华中科技大学电子科学与技术系	9	64	6.0	8.0
2	徐重阳	华中科技大学电子科学与技术系	85	592	12.0	19.0
3	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0
4	JOHNNY K O Sin	香港科技大学电气与电子工程系	2	17	2.0	2.0
5	刘世建	华中科技大学电子科学与技术系	5	62	4.0	5.0