电子元件参数漂移的MΦItoft统计模型

• 作者: 彭永怀 罗兴柏 胡恩平
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子元件 参数漂移 MΦ Itoft统计模型
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-2，4
• 页数: 3页
• 分类号: TN602
• 字数: 3173字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2001.01.001

摘要

参数漂移模型描述了元件参数从额定值发生偏移的行为。随着可靠性朝无故障寿命或无需维修工作周期的方向发展，对产品的参数漂移进行研究越来越显重要。利用MΦ Itoft统计模型描述了电子元件的参数漂移行为，通过元件的早期寿命测试来预测元件寿命，并给出了应用实例。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗兴柏		57	201	6.0	11.0
2	胡恩平		8	70	3.0	8.0
3	彭永怀		4	12	2.0	3.0