退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

• 作者: 李美成 殷景华 王中 王培林 蔡伟 赵连城 郑玉峰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 退火温度 PrSi/Si异质结 硅化物 薄膜 表面形貌
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 504-505
• 页数: 2页
• 分类号: TN213
• 字数: 2139字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.05.020

摘要

采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→Si.退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王中	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	11	192	7.0	11.0
2	郑玉峰	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	38	385	11.0	18.0
3	赵连城	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	107	1153	16.0	29.0
4	蔡伟	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	73	482	13.0	17.0
5	李美成	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	29	200	8.0	13.0
6	殷景华	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	3	5	1.0	2.0
7	王培林	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0