功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究

• 作者: 唐本奇 王燕萍 耿斌
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOS器件 IBGT 单粒子烧毁 单粒子栅穿 模拟试验
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 344-347
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2248字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2001.05.007

摘要

建立了利用252Cf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置,开展了功率MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值,以及随器件偏置的变化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	王燕萍		11	66	6.0	7.0
3	耿斌		10	60	6.0	7.0