Si缓冲层生长温度对SiGe外延层结构的影响

• 作者: 吴小山 姜晓明 蒋树声 谭伟石 贾全杰 郑文莉 郑鸿样
• 来源期刊: 北京同步辐射装置年报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
• 年，卷（期）: bjtbfszznb_2002,（1）
• 页码范围: 154-158
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1

摘要

用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。