硅单电子晶体管制备及特性

• 作者: 卢刚
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿 量子点
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 148-150
• 页数: 3页
• 分类号: TN305|O488
• 字数: 480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2002.02.009

摘要

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺,在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管.提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法,在器件的电流、电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.该器件的工作温度可达到77K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢刚	西安理工大学自动化与信息工程学院	16	38	3.0	5.0