高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性

• 作者: 刘明 施毅 濮林 郑有炓 陈杰智 龙世兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 库仑阻塞 库仑振荡 负微分电导
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 69-72
• 页数: 4页
• 分类号: TN321
• 字数: 2134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.015

摘要

为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度,提高增益调节系数,发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺.在室温下对器件的电学特性进行测量,观察到了典型的库仑振荡效应和负微分电导效应.基于量子点能级分立模型,分析了器件的输运原理,重点研究了强耦合作用对器件输运性质的影响.研究表明,通过控制量子点的热氧化时间,将器件量子点尺寸减小到7.6nm,增益调节系数提高到0.84.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米技术与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	龙世兵	中国科学院微电子研究所纳米技术与新器件集成技术实验室	14	45	6.0	6.0