在(111)Si衬底上磁控溅射纳米SiC薄膜的退火效应

• 作者: 安霞 庄惠照 李怀祥 杨利 薛成山
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 碳化硅 薄膜 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.92
• 字数: 3127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.05.004

摘要

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备出了纳米碳化硅薄膜,并研究了退火温度对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、x射线衍射(XRD)、x光电子能谱(XPS)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.AFM表明,随着退火温度的升高,碳化硅颗粒尺寸增大;在高于1000℃退火3h后,碳化硅颗粒呈现出勺状拖尾.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨利	山东师范大学半导体研究所	12	72	5.0	8.0
2	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
3	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
4	李怀祥	山东师范大学半导体研究所	44	210	7.0	12.0
5	安霞	山东师范大学半导体研究所	6	48	5.0	6.0