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摘要:
利用选择外延技术研制了1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件.激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同时选择性生长 ,这样的方法不仅可以分别优化有源区和模斑转换器的材料,同时可以降低选择性生长对接结构的难度.所研制集成器件的阈值为4.4mA,在49.5mA下的输出功率为10.1mW,边模抑制比为33.2dB,垂直方向和水平方向上的远场发散角分别为9°和15°,1dB偏调容差分别为3.6μm和3.4μm.
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文献信息
篇名 选择外延技术研制1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器集成器件
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 模斑转换器 自对准 对接 选择外延
年,卷(期) 2002,(7) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 681-684
页数 4页 分类号 TN248.4
字数 444字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 董杰 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心 26 129 7.0 10.0
2 王圩 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心 47 124 6.0 7.0
3 邱伟彬 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心 6 5 1.0 2.0
4 周帆 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心 28 59 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
模斑转换器
自对准
对接
选择外延
研究起点
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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