几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究

• 作者: 何伟 周辉 胡天斗 谢亚宁 贺朝会 郭红霞 陈雨生 韩福斌 黄宇营
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: CMOS EEPROM X射线 剂量增强效应 同步辐射
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 页码范围: 811-816
• 页数: 6页
• 分类号: O434.1
• 字数: 3046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2002.10.010

摘要

本文给出了大规模集成电路CMOS4069、浮栅ROM器件在北京同步辐射装置(BSRF)和钴源辐照的X射线剂量增强效应实验结果.通过实验在线测得CMOS4069阈值电压漂移随总剂量的变化,测得28f 256、29c256位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时X光辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡天斗	中国科学院高能物理研究所	90	733	16.0	23.0
2	周辉		84	938	16.0	26.0
3	何伟	中国科学院高能物理研究所	94	1342	21.0	34.0
4	黄宇营	中国科学院高能物理研究所	75	448	11.0	17.0
5	郭红霞		81	385	10.0	13.0
6	陈雨生		36	433	11.0	19.0
7	谢亚宁	中国科学院高能物理研究所	76	532	13.0	19.0
8	韩福斌		12	56	4.0	6.0
9	贺朝会		16	193	8.0	13.0