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摘要:
介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法,通过大量的实验及不断的工艺优化,制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片,并已投入批量生产。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 用溅射法制备混合集成电路中的Ci·SiO薄膜电阻器
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 Ci·SiO薄膜电阻器 混合集成电路 溅射 TCR
年,卷(期) 2002,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 46-47
页数 2页 分类号 TN45
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王军峰 2 0 0.0 0.0
2 殷小莉 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
Ci·SiO薄膜电阻器
混合集成电路
溅射
TCR
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
论文1v1指导