深亚微米集成电路用硅单晶材料

• 作者: 杨德仁 阙端麟
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 集成电路 缺陷
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 1-4，71
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 7568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2002.02.001

摘要

由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展.综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的3∞毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度.最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0