90nm工艺及其相关技术

• 作者: 翁寿松
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 90nm工艺 193 nm ArF光刻机 高k/低k绝缘材料 铜互连技术
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 40-44
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 4236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.04.010

摘要

ITRS 2001规划2004年实现90 nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90 nm工艺量产微处理器和逻辑器件.这样使ITRS 2001整整提前了一年.90 nm工艺包括193 nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术.193 nm光刻技术是实现90 nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193 nm ArF stepper(准分子激光扫描分步投影光刻机).讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁寿松		95	534	13.0	18.0