VLSI金属互连电迁移1/fγ噪声特性研究

• 作者: 庄奕琪 徐卓 杜磊 薛丽君
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 金属互连 电迁移 1/f噪声
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 70-74
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.01.016

摘要

通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/fγ噪声的测量和分析,得到了1/fγ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数y均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损伤程度条件下,1/fγ噪声点功率谱密度的相对变化量是电阻相对变化量的大约2000倍.此外,得到了1/fγ噪声频率指数随电迁移过程逐渐变大的实验规律.因此,1/fγ噪声功率谱密度和频率指数有可能作为比现在应用的电阻相对变化量更为灵敏的金属互连电迁移表征参量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学技术物理学院	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
3	徐卓	西安交通大学精细功能陶瓷重点实验室	106	610	13.0	18.0
4	薛丽君	西安电子科技大学技术物理学院	7	27	4.0	5.0