VLSI金属互连线1/fγ噪声指数与电迁移失效

• 作者: 庄奕琪 杜磊 薛丽君
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 1/fγ噪声 电迁移 金属互连 VLSI
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 183-185
• 页数: 3页
• 分类号: TN406
• 字数: 2575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.02.006

摘要

对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过程中的变化规律,发现γ指数在寿命试验的某个时间点发生突变,从1.0上升到1.6以上.这种突变可以归因于电迁移诱发空洞形成过程的起点,因而是金属薄膜结构开始发生不可逆结构变化的标志.1/ fγ噪声指数因子可望成为金属薄膜电迁移损伤程度或寿命的一个表征参量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪		183	1168	15.0	22.0
2	杜磊		99	486	13.0	18.0
3	薛丽君		7	27	4.0	5.0