GaN基MSM结构紫外光探测器

• 作者: 冯淦 刘宗顺 张宝顺 朱建军 杨辉 沈晓民 王俊 赵德刚
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN MSM结构 紫外光探测器 响应度
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7275.2003.01.006

摘要

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层, 以此为材料, 制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器. 测量了该紫外光探测器的暗电流和360 nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线. 该紫外光探测器在5 V偏压时暗电流为1.03 nA, 在10 V偏压时暗电流为15.3 nA. 在15 V偏压下该紫外光探测器在366 nm波长处的响应度达到0.166 A/W, 在365 nm波长左右有陡峭的截止边. 从0～15 V, 该紫外光探测器在360 nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大. 详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系.