AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性

• 作者: 周劲 张国义 杨志坚 武国英 郝一龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN MSM肖特基 紫外响应曲线
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 247-251
• 页数: 5页
• 分类号: TN23
• 字数: 2852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.063

摘要

在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触.随着退火时间的增加,MSM(金属-半导体-金属)结构的I-V特性曲线保持良好的对称性,但C-V曲线逐渐失去其对称性.MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝一龙	北京大学微电子学研究所	46	716	15.0	25.0
2	张国义	北京大学物理系	49	229	9.0	13.0
3	杨志坚	北京大学物理系	11	156	4.0	11.0
4	武国英	北京大学微电子学研究所	13	274	6.0	13.0
5	周劲	北京大学微电子学研究所	4	6	1.0	2.0