GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱结构的光荧光特性分析

• 作者: 吴文光 李华兵 范广涵 陈练辉 陈贵楚
• 来源期刊: 华南师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管(LED) GaInP/(AlxGa1-x)InP 多量子阱 光荧光
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TN209|TN248
• 字数: 2016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5463.2003.03.011

摘要

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ＝647.8 nm和λ＝861.6 nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰. 理论计算和实测结果基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	陈贵楚	华南师范大学光电子材料与技术研究所	18	46	5.0	6.0
3	陈练辉	华南师范大学光电子材料与技术研究所	11	27	3.0	4.0
4	李华兵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	6	2.0	2.0
5	吴文光	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	6	2.0	2.0