NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响

• 作者: 郝跃 韩晓亮
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 负偏置温度不稳定性效应 热载流子注入效应 PMOSFETs 可靠性
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 429-432
• 页数: 4页
• 分类号: TN303.12
• 字数: 3115字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.04.001

摘要

随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释.最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	韩晓亮	西安电子科技大学微电子研究所	9	64	5.0	8.0