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Altera 进入90nm FPGA领域
Altera 进入90nm FPGA领域
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摘要：
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基于90nm SOI CMOS工艺的24GHz信号发生器
SOI CMOS
功率放大器
信号发生器
90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理
NBTI
90nm
pMOSFETs
模型
90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度
RTS
幅度
深亚微米
MOS
90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性
最大衬底电流应力
关态
带带遂穿
陷阱电荷
GIDL
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期刊影响力
电子设计应用
主办单位：
中国科技信息研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1672-139X
CN：
11-4916/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市
邮发代号：
82-839
创刊时间：
2002
语种：
chi
出版文献量（篇）
3145
总下载数（次）
1
总被引数（次）
7284
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