DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较

• 作者: 何平 李志坚 林羲 王曦 田立林 董业民 陈猛
• 来源期刊: 清华大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应器件 绝缘体上硅(SOI) 局域注氧 浮体效应 自热效应
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子学
• 页码范围: 1005-1008
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.2003.07.039

摘要

严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点.绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应.为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI 3种结构的器件.通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应.由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势.DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0
2	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0
3	何平	清华大学微电子学研究所	14	35	4.0	5.0
4	林羲	清华大学微电子学研究所	3	21	3.0	3.0
5	董业民	中科院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	1	11	1.0	1.0
6	陈猛	中科院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	1	11	1.0	1.0
7	王曦	中科院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室	2	11	1.0	2.0