市售和加固CMOS电路总剂量辐射特性的比较

• 作者: 谢泽元 陈盘训
• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 物理学
• 关键词: CMOS电路 辐射剂量 对比试验 硅金属栅 Γ剂量率
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 309-310
• 页数: 2页
• 分类号: O571.323

摘要

对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB 762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。