退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响

• 作者: 任天令 侯生根 刘理天 张宁欣
• 来源期刊: 仪器仪表学报
• 学科: 工学
• 关键词: 退火制度PZT 溶胶凝胶 漏导电流
• 年，卷（期）: 2003,（z2）
• 所属期刊栏目: 测量装置
• 页码范围: 309-310
• 页数: 2页
• 分类号: TN3
• 字数: 845字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3087.2003.z2.139

摘要

铁电薄膜的性质对于硅基MEMS器件有重要的影响,鉴于此本文尝试通过改善退火工艺以提高PZT薄膜的铁电和压电性质.采用溶胶凝胶法,在Si/SiO2/Ti/Pt衬底上制备了PZT铁电薄膜.实验中,采用一次退火工艺和每层退火工艺制备了两种PZT薄膜,采用XRD对薄膜的晶体结构进行分析,通过C-V和I-V特性的研究发现,每层退火工艺有助于提高PZT薄膜的C-V性质,并降低漏导电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子所	87	600	13.0	19.0
3	张宁欣	清华大学微电子所	3	12	3.0	3.0
4	侯生根	清华大学微电子所	1	3	1.0	1.0