硅纳米线纳米电子器件及其制备技术

• 作者: 唐元洪 张勇 裴立宅 郭池 陈扬文
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 硅纳米线 综述 纳米电子器件 制备 性能
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1|TN305.3
• 字数: 4862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.10.015

摘要

硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景.介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇	湖南大学材料科学与工程学院	64	923	15.0	29.0
2	唐元洪	湖南大学材料科学与工程学院	67	498	13.0	19.0
3	裴立宅	湖南大学材料科学与工程学院	37	510	14.0	21.0
4	郭池	湖南大学材料科学与工程学院	20	250	9.0	15.0
5	陈扬文	湖南大学材料科学与工程学院	16	217	9.0	14.0