AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟

• 作者: 李娜 杨辉 赵德刚
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN 异质结 极化 模拟
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 422-429
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 2584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7275.2004.04.007

摘要

提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.在传统器件模拟软件中,通过在异质结界面插入δ掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结,结果显示只有前者在异质结界面有载流子限制效应,而后者没有;Ga面生长的AlGaN/GaN异质结界面处自由电子面密度随Al组分以及AlGaN的厚度增加而增加.以上模拟结果与其他报道中的实验以及计算结果一致,说明该方法可有效地将极化效应引入GaN基异质结器件的模拟中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	179	2701	25.0	46.0
2	李娜	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	207	2106	25.0	37.0
3	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	42	214	9.0	12.0