一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计

• 作者: 周帅林 罗岚 陈碧
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2073字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.01.021

摘要

阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路.该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现.基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12·10-6/℃.在3.3 V电源电压下的功耗为3.8 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗岚	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	27	260	10.0	14.0
2	陈碧	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	3	62	3.0	3.0
3	周帅林	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	49	2.0	2.0