退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响

• 作者: 支壮志 王博 肇常胜
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 PECVD 退火温度 激子发射 蓝移
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 187-190
• 页数: 4页
• 分类号: O462.2
• 字数: 2911字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.03.007

摘要

研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系,为了获得高质量的晶体薄膜,采用PECVD方法在硅(100)衬底上生长ZnO薄膜,生长温度为120℃,然后分别在氧气环境下退火(600℃～1000℃)1 h.X射线衍射谱和原子力显微镜(AFM)照片结果表明随着退火温度的升高,晶体择优取向明显,晶粒平均尺寸增大,到900℃时,晶粒平均尺寸达到38 nm.光致发光谱的结果表明,随着退火温度的升高,发光峰的半高宽(FWHM)逐渐地变窄,到900℃时,达到92meV,晶体质量得到了明显提高.通过对变温光谱的拟合计算,得到激子束缚能为59 meV,表明紫外发射来自于自由激子辐射复合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	支壮志	沈阳炮兵学院物理教研室	1	4	1.0	1.0
2	王博	沈阳炮兵学院物理教研室	1	4	1.0	1.0
3	肇常胜	沈阳炮兵学院物理教研室	1	4	1.0	1.0