衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究

• 作者: 刘勇 吴桂芳 孙兆奇 宋学平 林伟
• 来源期刊: 安徽大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 基片温度 微结构 溅射铜膜 应力 光学相位移法
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: O482.2
• 字数: 2975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2004.03.007

摘要

薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题.本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论.实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃.实验表明:衬底温度在50～200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴桂芳	安徽大学物理系	9	97	6.0	9.0
2	宋学平	安徽大学物理系	3	18	3.0	3.0
3	刘勇	安徽大学物理系	78	188	7.0	10.0
4	林伟	安徽大学物理系	1	7	1.0	1.0
5	孙兆奇	安徽大学物理系	91	563	11.0	16.0