GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收

• 作者: 伍滨和 夏冠群 曹俊诚
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 双量子阱 子带跃迁 光学吸收
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 577-578
• 页数: 2页
• 分类号: O472+.3|O481.3
• 字数: 1125字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.035

摘要

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化.基于自洽场理论,可以求出瞬态探测光吸收系数.这一方法没有采用稳态假设.计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数.利用这一模型可以计算半导体微结构中的相干载流子的控制问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹俊诚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	39	485	10.0	21.0
2	夏冠群	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	61	307	9.0	16.0
3	伍滨和	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	0	0.0	0.0