未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究

• 作者: 方文卿 李述体 江风益 王立 范广涵 莫春兰
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜光学 GaN 卢瑟福背散射/沟道 X射线双晶衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 366-370
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 3021字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.017

摘要

采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试.结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关.随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大,GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大,X射线双晶衍射峰半高宽增大.未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关.研究还表明,未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9 eV左右的发光峰的发光机理不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	莫春兰	南昌大学材料科学研究所	24	177	7.0	12.0
3	方文卿	南昌大学材料科学研究所	23	200	8.0	13.0
4	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
5	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
6	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0