MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究

• 作者: 姚冬敏 彭学新 李述体 江风益 熊传兵 王立 辛勇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 补偿度 X射线双晶衍射 MOCVD
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 33-37
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.01.008

摘要

对本实验室用MOCVD方法生长的未故意掺杂的GaN单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究.结果表明, 室温时GaN的X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系.高补偿的GaN的X射线双晶衍射半高宽较宽, 低补偿的GaN的X射线双晶衍射半高宽较窄.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
2	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
3	辛勇	南昌大学材料科学研究所	186	1282	15.0	26.0
4	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
5	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
6	姚冬敏	南昌大学材料科学研究所	9	86	5.0	9.0
7	李述体	南昌大学材料科学研究所	12	93	5.0	9.0