不同厚度未掺杂GaN薄膜的特性分析

• 作者: 周小伟 张春福 张进城 郝跃
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 位错 XRD PL
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 262-264
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.02.009

摘要

对厚度不同的样品进行了XRD和PL谱测量,由(0002)面、(30-32)面的摇摆曲线的半峰宽值和GaN(0002)衍射峰位置计算了样品的刃位错、螺旋位错的密度以及C轴应变,实验结果表明厚度增加后GaN薄膜中的刃位错、螺旋位错密度及C轴薄膜应力均得到减小,而 PL谱带边峰和蓝带强度显著增强.分析认为:厚度增加后,位错减少是由材料生长过程中位错的合并和湮灭作用造成的;样品PL谱的带边峰和蓝带强度显著增强是因为位错引入的非辐射性复合中心数目减少.