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摘要:
采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性.结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 μm,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长.界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47.97Ω·cm.价电子谱发现:室温下仅纯ZnO费米能级附近有载流子分布,这表明:压敏电阻界面有陷阱态,氧化锌压敏电阻界面电输运特性需用载流子陷阱对双肖特基势垒进行补充.
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文献信息
篇名 利用光电子能谱研究氧化锌压敏电阻界面电输运特性
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 半导体技术 氧化锌压敏电阻 纯氧化锌陶瓷 光电子能谱 载流子陷阱
年,卷(期) 2004,(8) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 22-23,50
页数 3页 分类号 TN304
字数 2244字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.08.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 禹争光 电子科技大学微电子与固体电子学院 8 112 5.0 8.0
2 杨邦朝 电子科技大学微电子与固体电子学院 253 3422 31.0 49.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
半导体技术
氧化锌压敏电阻
纯氧化锌陶瓷
光电子能谱
载流子陷阱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
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16
总被引数(次)
31758
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