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ITO纳米粉的低温制备
ITO纳米粉的低温制备
作者:
张贤高
贺平
贾志杰
黄新堂
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
铟锡氧化物
水热法
低温
制备
摘要:
介绍了一种ITO纳米粉的低温、易于量产的制备方法.将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜,在300℃、2 MPa的条件下就可制得5~20 nm的ITO纳米粉.用XRD、TEM分析ITO纳米粉的形貌为纺锤状,结晶状况良好,更有利于制备高致密度靶材.与其它方法相比,本方法反应条件柔和,反应温度降低了约200℃.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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(/次)
(/年)
文献信息
篇名
ITO纳米粉的低温制备
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
铟锡氧化物
水热法
低温
制备
年,卷(期)
2004,(7)
所属期刊栏目
纳米技术
研究方向
页码范围
44-45
页数
2页
分类号
TG146
字数
1665字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2004.07.015
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黄新堂
华中师范大学纳米研究院
38
209
9.0
13.0
2
张贤高
华中师范大学纳米研究院
2
19
2.0
2.0
3
贺平
华中师范大学纳米研究院
6
52
4.0
6.0
4
贾志杰
华中师范大学纳米研究院
38
646
15.0
24.0
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参考文献(0)
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参考文献(1)
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参考文献(1)
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引证文献(0)
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引证文献(1)
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引证文献(1)
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引证文献(0)
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引证文献(1)
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引证文献(0)
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研究主题发展历程
节点文献
铟锡氧化物
水热法
低温
制备
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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