全固源分子束外延1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料

• 作者: 任在元 何为 罗毅 郝智彪
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 固源分子束外延 应变补偿多量子阱 X射线衍射 光致荧光
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 579-581
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1983字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.036

摘要

利用新型全固源分子束外延技术,对1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料的生长进行了研究.在InAsP阱和InGaP垒之间插入InP中间层以减小阱和垒之间较大的剪切力.通过对生长材料的X射线衍射摇摆曲线和室温光致荧光光谱的比较,优化生长参数,获得了高质量的InAsP/InP/InGaP/InP应变补偿多量子阱结构,阱、垒、中间层的厚度分别为7.1,6.0,1.9 nm的7个周期的应变补偿多量子阱材料室温光荧光谱半高全宽为18.2 meV,是当前文献报道的1.55 μm 波段的InAsP多量子阱材料的最好结果之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝智彪	清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室	12	34	2.0	5.0
2	罗毅	清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室	38	223	8.0	14.0
3	何为	清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室	5	19	2.0	4.0
4	任在元	清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室	2	3	1.0	1.0