ZnO薄膜的射频磁控溅射法制备及特性

• 作者: 刘玉华 孙汪典
• 来源期刊: 暨南大学学报(自然科学与医学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 射频磁控溅射 光致发光 折射率
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 289-292
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9965.2004.03.009

摘要

利用射频磁控溅射镀膜工艺,在石英玻璃衬底上成功制备了ZnO薄膜. 采用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、荧光分光光度计及椭偏等检测手段对其特性进行了测试、分析. 研究结果表明:该薄膜具有良好的C轴取向结晶度;最佳激发波长为265.00 nm,光致发光峰分别位于362.00、421.06和486.06 nm;437 cm-1是ZnO晶体的特征拉曼峰,该峰的出现与最强的X射线衍射(002)峰相对应;薄膜折射率为2.01.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙汪典	暨南大学物理学系	26	280	9.0	16.0
2	刘玉华	暨南大学物理学系	3	21	2.0	3.0