微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究

• 作者: 刘毅 宋雪梅 朱秀红 李瀛 胡跃辉 邓金祥 阴生毅 陈光华
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化非晶硅 MWECR CVD 氢含量
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 功能材料制备加工技术
• 页码范围: 3148-3151
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 3643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.885

摘要

应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.