DBDCVD法制备a-Si:H的性能研究

• 作者: 张溪文 王薇薇 郭玉 陈萌炯 韩高荣
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅 硅氢键 DBDCVD
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 555-557
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.021

摘要

本文用介质阻挡放电化学气相沉积(DBDCVD)在室温下进行了非晶氢硅薄膜制备.通过硅烷氢气流量比、DBD放电电压等工艺条件的调整,在玻璃上沉积了系列样品.研究表明,DBDCVD法可以在室温下快速制备非晶氢硅薄膜,最大沉积速率可达0.34nm/s,由于DBDCVD的高能量和室温沉积的特点,薄膜中硅-氢键以SiH2为主.随硅烷反应气体浓度的变化,薄膜的光学带隙可在1.92eV～2.18eV之间调整.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学硅材料国家重点实验室	187	1971	24.0	35.0
2	张溪文	浙江大学硅材料国家重点实验室	43	309	11.0	16.0
3	陈萌炯	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	5	1.0	1.0
4	郭玉	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	35	3.0	3.0
5	王薇薇	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	35	3.0	3.0