直拉硅片杂质缺陷的控制与利用

• 作者: 李养贤 杨帅 郝秋艳 马巧云
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷工程 中子辐照 杂质 缺陷 直拉硅
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 67-71
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 4841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.2004.02.011

摘要

简要叙述了直拉硅中缺陷工程的研究进展.提出了采用中子辐照或掺杂技术,在硅中引入杂质缺陷,并通过其相互作用实现对硅中杂质和缺陷的控制与利用.此项研究是硅片缺陷工程的新内容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝秋艳	河北工业大学材料学院	37	179	9.0	12.0
2	李养贤	河北工业大学材料学院	51	362	12.0	17.0
3	杨帅	河北工业大学材料学院	7	25	3.0	4.0
4	马巧云	河北工业大学材料学院	6	19	3.0	4.0