一种高精度的CMOS带隙基准电压源

• 作者: 沈绪榜 蒋湘 邹雪城 黄晓敏
• 来源期刊: 电子工程师
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 带隙 基准电压源
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子与基础产品
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TN492
• 字数: 2272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4888.2004.03.005

摘要

设计了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源.该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达3×10-6/℃,电源抑制比可达75 dB.还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学图像识别与人工智能研究所	310	2261	21.0	31.0
2	沈绪榜	华中科技大学图像识别与人工智能研究所	50	293	9.0	14.0
3	蒋湘	华中科技大学图像识别与人工智能研究所	4	69	3.0	4.0
4	黄晓敏	华中科技大学图像识别与人工智能研究所	2	55	2.0	2.0