分子束外延生长ZnO薄膜的XAFS研究

• 作者: 俞根才 吴志浩 周映雪 张新夷 陈栋梁 韦世强
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 ZnO X射线吸收精细结构
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 494-496
• 页数: 3页
• 分类号: O433.51
• 字数: 1804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.07.004

摘要

利用同步辐射广延X射线吸收精细结构(EXAFS),研究在不同条件下分子束外延制备的ZnO薄膜,如分别在蓝宝石(0001)、Si(100)衬底上,生长温度为200℃或300℃下得到样品的局域结构.发现这些ZnO薄膜的EXAFS函数(k2x(k))谱形状相似,说明各个样品都具有较为相近的基本局域结构.对生长温度为200℃的ZnO/A12O3(0001)和ZnO/Si(100)样品,其Zn-O第一配位峰的无序度σ2分别为0.0054A2和0.0080A2,当生长温度从200℃提高到300℃时,ZnO/A12O3(0001)样品的Zn-O第一配位峰的无序度σ2降为0.0039 A2.结果表明衬底与ZnO的晶格失配度和生长温度对ZnO薄膜的配位数、Zn-O键长影响不大,但较小的晶格失配度和较高的生长温度下得到的ZnO薄膜局域有序性较高;且样品的局域结构越有序,相应的配位峰幅度也越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈栋梁	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	46	514	13.0	22.0
2	韦世强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	51	239	7.0	14.0